IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в проектировании полупроводниковых микросхем. Партнерам удалось создать «вертикально расположенные транзисторы» — конструкцию чипов, в которой часть компонентов устанавливается перпендикулярно друг к другу. Уже на первом этапе разработки такая система оказалась способна удвоить производительность микросхем или снизить их энергопотребление на 85%. Технология позволит обойти закон Мура и, в частности, создать смартфоны, работающие неделю без подзарядки, рассказали в IBM.

Совместная разработка IBM и Samsung называется «вертикальными транспортными полевыми транзисторами» (VTFET). Система радикально отличается от современных моделей, в которых транзисторы лежат на поверхности кремния, рядом друг с другом, а электрический ток течет из стороны в сторону. VTFET предполагает многослойную конструкцию — в таких процессорах транзисторы расположены как параллельно, так и перпендикулярно друг другу, а ток течет вертикально.

Как сообщает Engadget, конструкция дает два ключевых преимущества для потенциальных клиентов IBM и Samsung. В первую очередь она позволит обойти ограничения производительности и в будущем расширит закон Мура — авторы хотят выйти за пределы существующей технологии нанолистов. В рамках совместного исследования IBM и Samsung выяснили, что даже тестовые образцы повышают вычислительный потенциал будущих процессоров в два раза. И они также могут снизить энергопотребление микросхем на 85%.

Ранее в этом году инженеры из Массачусетского технологического института (MIT), Национального университета Тайваня (NTU) и компании TSMC также сообщили, что готовы обойти Закона Мура. Международная группа разработала процесс с участием полуметаллического висмута, позволяющего производить полупроводники на уровне 1-нм техпроцесса. Пока технология находится на этапе ранних испытаний, но авторы уже обещают четырехкратный прирост производительности для практически любой электроники.